Samsung, GDDR6W bellekleri duyurdu: GDDR6 belleklerden iki kat daha performanslı

Yüksek performanslı, yüksek kapasiteli ve yüksek bant genişliğine sahip bellek tahlilleri, sanal dünyayı gerçeklikle daha yakın bir hale getirme noktasında kritik ehemmiyete sahip. Metaverse üzere sanal dünyalar grafik temelli eserlerde kullanılan bellek tahlillerine son derece hassas yapıdalar. Bu artan pazar talebini karşılamak için Samsung Electronics, sanayinin birinci yeni kuşak grafik DRAM teknolojisi olan GDDR6W‘yi (x64) geliştirdiğini duyurdu.

GDDR6W bellekler, Samsung’un standart GDDR6 (x32) eserlerine nazaran Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) teknolojisini kullanarak hem bant genişliğini hem de kapasiteyi değerli ölçüde artıyor.

Hatırlayacağınız üzere geçtiğimiz Temmuz ayında Samsung, sanayinin en süratli grafik DRAM’i olan 24 Gb/sn GDDR6 bellekleri geliştirdiğini duyurmuştu. GDDR6W ise, GDDR6 ile birebir boyutta kalırken bu bant genişliğini (performansı) ve kapasiteyi iki katına çıkartıyor. Üretim müddetini ve maliyetlerini azaltan FOWLP yapı ve istifleme teknolojisi sayesinde üretim süreçlerinde de bir ek maliyet getirilmiyor.

Aşağıdaki fotoğrafta gösterildiği üzere, tıpkı boyuttaki bir pakette iki kat daha fazla bellek yongası ile donatılabildiği için, grafik DRAM kapasitesi 16Gb’den 32Gb’ye çıkıyor. Tıpkı biçimde bant genişliği ve G/Ç sayısı ikiye katlanarak 32’den 64’e çıkmış durumda. Yani bellek için gereken alan evvelki modellere nazaran %50 oranında azaltılmış.

Genel olarak baktığımızda paket boyutu birebir fakat istif yani katman sayısı artıkça kimi fedakarlıklarda bulunmak gerekiyor. Olağan koşullarda katman sayısı arttığında ısı dağılımı ve performansta bir alışveriş kelam konusu olur. Lakin Samsung, bu sorunu aşmak için başarılı bir mühendislik uygulaması kullanmış.

Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) teknolojisi sayesinde Samsung, bellek kalıbını PCB yerine doğrudan bir silikon levha üzerine monte ediyor. Bunu yaparken, çok daha ince irtibat modelleri sağlayan RDL (Re-distribution layer) teknolojisi kullanılıyor. Münasebetiyle PCB ortadan kalktığında toplam paket kalınlığı ve ısı dağılımı büyük oranda düzgünleşiyor.

FOWLP tabanlı GDDR6W’nin yüksekliği, GDDR6 1.1mm iken yalnızca 0,7 mm düzeyinde yani yüzde 36 daha ince. Çip çok katmanlı olmasına karşın mevcut GDDR6 ile tıpkı termal özellikleri ve performansı sunuyor. Fakat GDDR6’dan farklı olarak, FOWLP tabanlı GDDR6W’nin bant genişliği, tek paket başına genişletilmiş G/Ç sayesinde iki katına çıkıyor.

Samsung, GDDR6W ile HBM2E bellekleri kıyaslıyor. HBM2E, 4K’da 1,6 TB/s bant genişliğine ve pin başına 3,2 Gbps iletim suratına sahip. Öte yandan GDDR6W ise 1,4 TB/s bant genişliği ve pin başına 22Gpbs iletim suratı vadediyor. Üstelik GDDR6W bu kıymetleri, HBM2E’nin 4096 G/Ç sayısının sekizde birine sahipken yani 512 G/Ç sayısıyla gerçekleştiriyor. Münasebetiyle maliyet noktasında GDDR6W bellekler HBM2E’ye oranla daha avantajlı pozisyonda.

Samsung Electronics bu yılın ikinci çeyreğinde GDDR6W bellekleri için gerekli olan JEDEC standardizasyonunu tamamlamıştı. Samsung ayrıyeten, GDDR6W belleklerini GPU ortaklarıyla iş birliği yaparak dizüstü bilgisayarlar üzere küçük form faktörlü aygıtlarda ve yapay zeka, HPC uygulamaları için kullanılan yüksek performanslı hızlandırıcılarda kullanacağını belirtti. Şimdilik bir çıkış tarihi ise verilmedi.